Numer produktu producenta:
TSM2N7002AKCX RFG
Product Overview
Producent:
Taiwan Semiconductor Corporation
Numer części:
TSM2N7002AKCX RFG-DG
Opis:
60V, 0.3A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 300mA (Ta) 357mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Magazyn:
11350 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12969862
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
TSM2N7002AKCX RFG Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Taiwan Semiconductor
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
300mA (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 300mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
1.65 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
20 pF @ 30 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
357mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-23
Pakiet / Walizka
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Karta danych HTML
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
1801-TSM2N7002AKCXRFGDKR
TSM2N7002AKCX
1801-TSM2N7002AKCX-DG
1801-TSM2N7002AKCXRFG
1801-TSM2N7002AKCXRFGTR
1801-TSM2N7002AKCXRFGCT
1801-TSM2N7002AKCXRFG-DG
1801-TSM2N7002AKCX
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
TSM60NC1R5CH C5G
600V, 3A, SINGLE N-CHANNEL POWER
IRFC260NB
MOSFET 200V 50A DIE
PJE8407_R1_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
